IGNOU BPHET 143 SOLVED ASSIGNMENT 2025

Ques 1.

Describe the formation of depletion layer in a p-n junction diode. Explain the I-V characteristics of p-n junction in forward and reversed biased conditions.

Ques 2.

The intrinsic carrier concentration of a semiconductor is 3x10¹⁷ m^-³. It is doped with a trivalent impurity with dopant atom density of 8x10¹⁸ m^-³. The electron and hole mobilities are 0.5 m² V-¹s^-1 and 0.3 m² V^-1s^-1 respectively. Calculate its conductivity before and after the doping.

Ques 3.

Explain the working of p-channel JFET using a circuit diagram showing its voltage biasing with appropriate polarities. Draw its drain characteristics with Vos <OV and Vos≥ 0 V.

Ques 4.

Discuss the breakdown mechanisms observed in a zener diode. 

Ques 5.

h-parameters of a single stage CE amplifier are given as   and   and  Calculate   and Z_out with n=10 k and rs = 100.

Ques 6.

Convert FC₁₆ (Hex) into its binary equivalent and then divide it by 1001₂. Express the result in octal equivalent.

Ques 7.

Draw the circuit of 2-input NAND gate using diodes, transistor and resistors and explain its working with the help of truth table.

Ques 8.

Design a binary adder circuit to add 4-bit binary numbers corresponding to the decimal numbers 11 and 7.

Ques 9.

Construct the Karnaugh map for the following 3-input truth table, write its Boolean expression and simplify it to obtain MSP.

Ques 10.

With the help of a suitable diagram, explain the subtraction of binary equivalent of decimal number 5 from binary equivalent of decimal number 7 using a 2’s complement binary adder-subtractor.

Ques 11.

Why is a Class A amplifier preferred over Class C amplifier in spite of being less efficient? 

Ques 12.

Why is it necessary to use matched pair of transistors in a push-pull amplifier?

Ques 13.

An amplifier has maximum voltage gain of 500. Express it in dB scale. Calculate the gain at the cut-off frequencies on dB scale.

Ques 14.

What are the advantages of transformer coupling between the two stages of a cascade amplifier?

Ques 15.

State the Barkhausen criterion for sustained oscillations. Explain the operation of Colpitt Oscillator. For a Colpitt oscillator with 10 MHz frequency determine the equivalent capacitance, C forming tank circuit with 0.1 mH inductor.

Ques 16.

In a voltage regulator circuit, the output voltage under no load condition is 12V while under full load it is 11.8V. Over the full range of input voltage variation the nominal voltage output of 12V varies by 50 mV. Calculate percentage load and line regulation.

Ques 17.

Design and draw a circuit of series pass voltage regulator to provide 25 V output voltage and 160 mA maximum load current using a silicon n-p-n transistor with =80. Assume the input unregulated voltage to be 30 V and minimum zener diode current to be 10 mA. Specify the voltage and power rating of zener diode as well as value and power rating of the resistor used.

Ques 18.

Draw a circuit of a non-inverting amplifier with gain 1 using op-amp. Draw the output voltage curve of this circuit for a step input of 5V amplitude and 50 kHz frequency, if the slew rate of the op-amp is 0.5 V/s. (Use proper scale on the time axis to illustrate the effect of slew rate).

Ques 19.

Design and draw the circuit of a three channel op-amp adder with channel gains of -5, -10 and -15 respectively.

Ques 20.

Explain the terms CMRR and input offset voltage in case of op-amp. 

Ques 21.

State the main subsystems of a CRO and explain their functions.

Ques 22.

Design an astable multivibrator using IC 555 timer to generate a rectangular wave of 60% duty cycle at 10 kHz frequency

Ques 23.

p-n संधि डायोड में अवक्षय स्तर (depletion layer) के बनने की प्रक्रिया समझाएं। अग्र-तथा पश्च-दिशिक बायसन के लिए p-n सन्धि के I-V अभिलक्षणिकों की व्याख्या करें।

Ques 24.

एक अर्धचालक का नैज आवेश सांद्रण 3×10¹⁷ m^-3 है। उसे त्रिसंयोजक अपद्रव्य से मादित किया जाता है और मादन परमाणुओं का घनत्व 8×10¹⁸ m^-3 है। इलेक्ट्रॉन और विवर गतिशीलताएं क्रमशः 0.5 m² V^-1s^-1 और 0.3 m² V^-1s^-1 हैं। मादन से पहले और बाद में उसकी चालकता परिकलित करें।

Ques 25.

उचित ध्रुवताओं के साथ वोल्टेज बायसन को दर्शाने वाले परिपथ चित्र का उपयोग करके p-चैनल JFET की कार्यप्रणाली समझाएं। VDS < 0V और VGS ≥ 0 V के साथ इसके निकास अभिलक्षणिक खींचें।

Ques 26.

जेनर डायोड में प्रेक्षित होने वाली भंजन प्रक्रियाएं समझाएं।

Ques 27.

एक पदी CE प्रवर्धक के लिए h-प्राचलों के मान h₁ = 2 k, h_r = 3 x 10^-4, h_f = 85 और h_o = 15 µAV^-¹ हैं। यदि = 10 k, और rs = 100  हों, तो A_i, A_v, Z_in और Z_out परिकलित करें।

Ques 28.

FC₁₆ (षोडश आधारी) को द्वि-आधारी तुल्य में पारिवर्तित करें। इसे 1001₂ से भाग दें। आप के उत्तर को अष्टाधारी तुल्य में व्यक्त करें।

Ques 29.

डायोडों, ट्रांजिस्टर और प्रतिरोधकों का उपयोग करके 2-निवेशों वाले NAND गेट का परिपथ चित्र खींचें और सत्यमान सारणी की सहायता से इसका प्रचालन समझाएं ।

Ques 30.

दशमलव संख्याओं 11 और 7 के संगत 4-बिट द्वि-आधारी अंकों को जोड़ने के लिए एक द्वि-आधारी योजक का परिपथ डिज़ाइन करें और उसे चित्रित करें।

Ques 31.

निम्नलिखित सत्यामान सारणी के लिए कारनाफ मानचित्र बनाएं, इसका बूलीय व्यंजक लिखें और सरलीकरण करके MSP प्राप्त करें।

Ques 32.

उचित आरेख की सहायता से दो के पूरक विधि द्वारा द्वि-आधारी योजक-व्यवकलक का उपयोग करके दशमलव संख्या 7 के द्वि-आधारी तुल्य से दशमलव संख्या 5 के द्वि-आधारी तुल्य को घटाने की विधि समझाएं।

Ques 33.

दक्षता न्यून होने के बावजूद वर्ग A प्रवर्धक को वर्ग C के सापेक्ष वरीयता क्यों दी जाती हैं?

Ques 34.

कर्षापकर्षी प्रवर्धक में सुमेलित ट्रांजिस्टरों का प्रयोग अनिवार्य क्यों होता है?

Ques 35.

एक प्रवर्धक की उच्चतम वोल्टता लब्धि 500 है। इसे dB के मात्रक में निरूपित करें। अंतक आवृत्तियों पर dB के मात्रक में लब्धि परिकलित करें।

Ques 36.

बहुपदी प्रवर्धक के दो पदों के बीच परिणामित्र युग्मन के क्या लाभ हैं?

Ques 37.

स्थायीकृत दोलनों के लिए बर्खाउसन दोलन-निकष बताएं। कॉल्पिट दोलित्र का कार्य समझाएं। एक 10 MHz आवृत्ति वाले कॉल्पिट दोलित्र के लिए समस्वरित (टैंक) परिपथ में 0.1mH कुंडली के साथ तुल्य धारिता C का मान परिकलित करें।

Ques 38.

एक वोल्टता नियंत्रक की शून्य लोड वोल्टता 12V और पूरी लोड वोल्टता 11.8V है। नाममात्र वोल्टता 12V पर पूर्ण लाइन परिवर्तन के लिए लोड वोल्टता में 50 mV का परिवर्तन होता है। प्रतिशत लोड नियमन और प्रतिशत स्रोत नियमन परिकलित करें।

Ques 39.

= 80 वाले n-p-n ट्रांजिस्टर का उपयोग करके 25 निर्गम वोल्टता और 160 mA अधिकतम लोड धारा वाला श्रेणी पारण वोल्टता नियामक डिज़ाइन करें और इसका परिपथ चित्र खींचें। मान लें कि अनियमित निवेश वोल्टता 30 V तथा जेनर प्रचालन की न्यूनतम धारा 10 mA है। जेनर की वोल्टता एवं शक्ति सीमांक तथा प्रयुक्त प्रतिरोध का मान एवं शक्ति सीमांक बताएं।

Ques 40.

ऑप एम्प का उपयोग करके 1 लब्धि वाले अप्रतिलोमी प्रवर्धक का परिपथ चित्र खींचें। ऑप एम्प की द्रुत घूर्णन दर 0.5 Vus^-¹ होने पर इस परिपथ को दिए गए 5V आयाम और 50kHz आवृत्ति वाले वर्ग तरंग के निवेश के लिए निर्गम वोल्टता का आरेख खीचें। (द्रुत घूर्णन दर का प्रभाव दिखाने के लिए समय अक्ष पर सही सही पैमाने का उपयोग करें।)

Ques 41.

ऑप एम्प का उपयोग करके -5, -10 और -15 की क्रमशः चैनेल लब्धियों वाला एक 3-चैनल योजक परिपथ डिज़ाइन करें और इसका परिपथ चित्र खींचें।

Ques 42.

ऑप एम्प के संदर्भ में CMRR और निवेश ऑफसेट वोल्टता की व्याख्या करें।

Ques 43.

कैथोड किरण नलिका के मुख्य उपतंत्र बताएं और उनके इन घटकों के कार्य समझाएं।

Ques 44.

IC 555 काल समंजक का उपयोग करके 10 kHz आवृत्ति एवं 60% उपयोगिता अनुपात वाली एक आयताकार तरंग जनित करने वाला स्वचालित बहुकंपित्र डिज़ाइन करें।

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